Μονοκρυσταλλική μονάδα πυριτίου Wafers PV

Μονοκρυσταλλική μονάδα πυριτίου Wafers PV

Σύμφωνα με τις απαιτήσεις σας, μπορούμε να παράγουμε προσαρμοσμένες γκοφρέτες πυριτίου, ανεξάρτητα από τη διάμετρο, το πάχος ή τον τύπο. Αναμένουμε να σας εξυπηρετήσουμε.

Περιγραφή

 

Περιγραφή

Οι γκοφρέτες μονοκρυσταλλικού πυριτίου (mono-Si) χρησιμοποιούνται ευρέως στην παραγωγή φωτοβολταϊκών (PV) πλαισίων, που αποτελούν τα δομικά στοιχεία των ηλιακών συλλεκτών. Αυτές οι γκοφρέτες είναι κατασκευασμένες από ένα μόνο κρύσταλλο πυριτίου υψηλής καθαρότητας, το οποίο επιτρέπει την αποτελεσματική μετατροπή του ηλιακού φωτός σε ηλεκτρική ενέργεια.

Για την κατασκευή πλακιδίων mono-Si για φωτοβολταϊκές μονάδες, η διαδικασία Czochralski χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη ενός μόνο κρυστάλλου πυριτίου από έναν κρύσταλλο σποράς. Ο προκύπτων κρύσταλλος κόβεται στη συνέχεια σε πολύ λεπτές γκοφρέτες, τυπικά περίπου 180-240 μικρόμετρα πάχους.

Μετά τον τεμαχισμό, οι γκοφρέτες υποβάλλονται σε διάφορα στάδια επεξεργασίας, συμπεριλαμβανομένου του καθαρισμού και της στίλβωσης, καθώς και του ντόπινγκ για τη δημιουργία των επιθυμητών ηλεκτρικών ιδιοτήτων. Στη συνέχεια, οι γκοφρέτες συναρμολογούνται σε φωτοβολταϊκές μονάδες χρησιμοποιώντας διάφορες τεχνικές, όπως συγκόλληση σύρματος ή συγκόλληση.

Οι γκοφρέτες Mono-Si προσφέρουν πολλά πλεονεκτήματα σε σχέση με άλλους τύπους γκοφρέτες πυριτίου, όπως οι πολυκρυσταλλικές (multi-Si) γκοφρέτες. Οι γκοφρέτες Mono-Si έχουν υψηλότερη απόδοση και καλύτερη απόδοση σε συνθήκες χαμηλού φωτισμού, καθώς και μεγαλύτερη διάρκεια ζωής και χαμηλότερους ρυθμούς υποβάθμισης. Είναι επίσης πιο ευχάριστα αισθητικά λόγω του ομοιόμορφου μαύρου χρώματος τους, καθιστώντας τα ιδανικά για χρήση σε οικιακές και εμπορικές εφαρμογές.

Προσδιορισμός

Παράμετρος αξία
Διάμετρος γκοφρέτας 156 mm (6 ίντσες)
Πάχος γκοφρέτας 200 µm
Προσανατολισμός <100>ή<111>
Αντίσταση 1-10 Ω-εκ
Συγκέντρωση προσμίξεων N-τύπου ή P-τύπου
Τραχύτητα επιφάνειας (Ra) <0.5 nm
Επίστρωση μπροστινής επιφάνειας Αντιανακλαστική επίστρωση
Επικάλυψη πίσω επιφάνειας Στρώμα παθητικοποίησης
Warpage <50 µm
Τόξο <40 µm
Συνολική διακύμανση πάχους (TTV) <10 µm
Ζώνη αποκλεισμού άκρων 1-2 χλστ
Διάρκεια ζωής φορέα >1 ms
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας 85 μοίρες

 

Monocrystalline Silicon Wafers PV Module

Monocrystalline Silicon Wafers PV Module

 

Δημοφιλείς Ετικέτες: Μονάδα pv γκοφρέτες μονοκρυσταλλικού πυριτίου

Μπορεί επίσης να σας αρέσει

Τσάντες αγορών